发明名称 |
Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device using the same |
摘要 |
기판 상의 피쳐층 위에 마스크층을 형성하고, 제1 영역에서 마스크층 위에 제1 피치로 규칙적으로 배열된 복수의 가이드를 형성한다. 제1 피치보다 큰 폭의 분리 영역을 사이에 두고 제1 영역으로부터 이격된 제2 영역에서는 마스크층 위에 제1 피치로 규칙적으로 배열된 복수의 더미 가이드를 형성한다. 복수의 가이드 및 복수의 더미 가이드를 포위하는 블록 공중합체층을 형성한 후 상분리하여 자기조립층을 형성한다. 자기조립층을 이용하여 마스크층을 식각하여 마스크 패턴을 형성한 후 제2 영역에서는 피쳐층에 상기 마스크 패턴의 형상이 전사되는 것을 차단하면서 제1 영역에서 피쳐층에 마스크 패턴의 형상을 전사한다. |
申请公布号 |
KR20160133312(A) |
申请公布日期 |
2016.11.22 |
申请号 |
KR20150066254 |
申请日期 |
2015.05.12 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
PARK, SEOK HAN |
分类号 |
H01L21/033;H01L21/027 |
主分类号 |
H01L21/033 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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