发明名称 Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device using the same
摘要 기판 상의 피쳐층 위에 마스크층을 형성하고, 제1 영역에서 마스크층 위에 제1 피치로 규칙적으로 배열된 복수의 가이드를 형성한다. 제1 피치보다 큰 폭의 분리 영역을 사이에 두고 제1 영역으로부터 이격된 제2 영역에서는 마스크층 위에 제1 피치로 규칙적으로 배열된 복수의 더미 가이드를 형성한다. 복수의 가이드 및 복수의 더미 가이드를 포위하는 블록 공중합체층을 형성한 후 상분리하여 자기조립층을 형성한다. 자기조립층을 이용하여 마스크층을 식각하여 마스크 패턴을 형성한 후 제2 영역에서는 피쳐층에 상기 마스크 패턴의 형상이 전사되는 것을 차단하면서 제1 영역에서 피쳐층에 마스크 패턴의 형상을 전사한다.
申请公布号 KR20160133312(A) 申请公布日期 2016.11.22
申请号 KR20150066254 申请日期 2015.05.12
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, SEOK HAN
分类号 H01L21/033;H01L21/027 主分类号 H01L21/033
代理机构 代理人
主权项
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