| 主权项 |
1.一种防止沟槽内绝缘层局部变薄的方法,适用于具有沟槽之半导体基底,上述方法包括下列步骤:(a)在上述半导体基底之沟槽侧壁及底部形成一垫绝缘层;(b)在上述垫绝缘层上形成一填入上述沟槽的底部绝缘物;(c)进行蚀刻步骤,以留下具有上凹圆弧状表面的底部绝缘物,并且露出该沟槽部分侧壁;以及(d)在上述露出之沟槽侧壁形成一绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之防止沟槽内绝缘层局部变薄的方法,其中该垫绝缘层系一垫氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之防止沟槽内绝缘层局部变薄的方法,其中该垫氧化层系利用热氧化法形成。4.如申请专利范围第2项所述之防止沟槽内绝缘层局部变薄的方法,其中该垫氧化层系利用低压化学气相沈积法形成。5.如申请专利范围第1项所述之防止沟槽内绝缘层局部变薄的方法,其中该底部绝缘层系一底部氧化层。6.如申请专利范围第5项所述之防止沟槽内绝缘层局部变薄的方法,其中该底部氧化层系利用高密度电浆化学气相沈积法形成。7.如申请专利范围第2项所述之防止沟槽内绝缘层局部变薄的方法,其中步骤(c)系利用氢氟酸溶液当作湿蚀刻溶液以进行。8.如申请专利范围第1项所述之防止沟槽内绝缘层局部变薄的方法,其中步骤(d)之绝缘层系闸极氧化层。9.如申请专利范围第8项所述之防止沟槽内绝缘层局部变薄的方法,其中该闸极氧化层系利用热氧化法形成。10.一种防止沟槽内氧化层局部变薄的方法,适用于具有沟槽之半导体基底,且该沟槽开口方向称上方,该沟槽底部方向称下方,上述方法包括下列步骤:(a)在上述沟槽侧壁及底部形成一垫氧化层;(b)在上述垫氧化层表面形成一填入上述沟槽下方的底部氧化物;(c)利用蚀刻溶液去除位于上述底部氧化物上方的垫氧化层与部分底部氧化物,以露出该沟槽上部之侧壁,并且留下具有上凹圆弧状表面的底部氧化物;以及(d)进行热氧化法,以在上述露出之沟槽侧壁形成一氧化层。11.如申请专利范围第10项所述之防止沟槽内氧化层局部变薄的方法,其中步骤(a)之整氧化层系利用热氧化法形成。12.如申请专利范围第10项所述之防止沟槽内氧化层局部变薄的方法,其中步骤(a)之整氧化层系利用低压化学气相沈积法形成。13.如申请专利范围第10项所述之防止沟槽内氧化层局部变薄的方法,其中步骤(c)之蚀刻溶液系氢氟酸溶液。14.如申请专利范围第10项所述之防止沟槽内氧化层局部变薄的方法,其中步骤(b)之底部氧化物系利用高密度电浆化学气相沈积法形成。15.如申请专利范围第10项所述之防止沟槽内氧化层局部变薄的方法,其中步骤(d)之氧化层系闸极氧化层。16.一种防止沟槽内氧化层局部变薄的方法,适用于具有沟槽之半导体基底,且该沟槽开口方向称上方,该沟槽底部方向称下方,上述方法包括下列步骤:(a)在上述半导体基底之沟槽下方形成一具有上凹圆弧状表面的底部绝缘物;以及(b)在上述露出之沟槽侧壁形成一氧化层。17.如申请专利范围第16项所述之防止沟槽内氧化层局部变薄的方法,其中步骤(b)之氧化层系利用热氧化法形成。图式简单说明:第1A图至第1C图为根据习知技术之沟槽式半导体装置的闸极氧化层之制造流程剖面图。第2A图至第2E图为根据本发明较佳实施例之沟槽式半导体装置的闸极氧化层之制造流程剖面图。 |
