| 发明名称 | 场发射器件中钼与硅基底焊接的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种场发射器件中钼与硅基底焊接的方法，先在硅基底上蒸镀钼薄膜，然后将蒸镀钼薄膜的硅基底与钼片进行焊接，即在硅基底上镀一层钼保护层，起到阻隔钎料的作用，硅与钼片连接紧密不会断裂，大大提高了焊接强度。 | ||
| 申请公布号 | CN105870028A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610431929.9 | 申请日期 | 2016.06.16 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 王小菊;王旭聪;马祥云;曹贵川;祁康成;林祖伦 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;B23K1/19(2006.01)I;B23K1/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人 | 敖欢;葛启函 |
| 主权项 | 一种场发射器件中钼与硅基底焊接的方法，其特征在于：先在硅基底上蒸镀钼薄膜；然后将蒸镀钼薄膜的硅基底与钼片进行焊接。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||