| 摘要 |
본 발명은 발광 다이오드 소자를 개시한다. 특히, 본 발명은 III-V족 질화물계 화합물을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자(LED)에서 내부 물질층의 전반사에 의해 표면으로 방출되지 못하는 빛의 추출량을 증가시켜, 광 효율을 개선한 발광 다이오드 소자 및 제조방법, 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 소자는, 기판상에 형성되는 질화물 접합구조물과, 이러한 질화물 접합구조물상에 형성되며, 질화물 접합구조물로부터 방출되는 빛의 추출량을 증가시키는 가변 증착공정에 의한 미세 러프니스 패턴이 형성된 투명전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 본 발명은 발광 다이오드 소자의 활성층에서 방출되는 빛을 투명전극상에 가변 증착방식을 통해 형성한 미세 러프니스 패턴에 의해 출광시킴으로서, 보다 효율적으로 빛을 추출할 수 있는 효과가 있다. |
