| 摘要 |
メモリリフレッシュ制御技法により、外部の1×リフレッシュ速度に基づいたフレキシブルな内部リフレッシュ速度が可能になり、外部の1×リフレッシュ速度に基づいた強メモリ行のリフレッシュサイクルをスキップすることが可能になる。メモリコントローラは、リフレッシュアドレスカウンタからリフレッシュアドレスを読み、弱アドレス表から弱アドレスを読み、弱アドレスに組み合わせられたネクストビットシーケンスに少なくとも部分的に基づいて次の弱アドレスを生成することによってメモリリフレッシュを実行する。メモリコントローラは、リフレッシュアドレスを弱アドレスおよび次の弱アドレスと比較する。メモリコントローラは、前記比較に基づいて、リフレッシュサイクルをスキップすることと、リフレッシュアドレスをリフレッシュすることと、弱アドレスをリフレッシュすることと、リフレッシュアドレスと弱アドレスの両方をリフレッシュすることとの間で選択する。 |
