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发明名称 HIGH CURRENT ION IMPLANT CONTROL APPARATUS
摘要
申请公布号 KR0165330(B1) 申请公布日期 1999.02.01
申请号 KR19950066859 申请日期 1995.12.29
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 HWANG, WUN-KIL;SHIM, SANG-CHUL
分类号 H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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