| 发明名称 | 成膜装置、成膜方法和存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供成膜装置、成膜方法和存储介质。该成膜装置包括：处理容器(31)；和配置在处理容器(31)内、用于载置基板W的载置台(71)。该成膜装置还包括：气体喷淋头(51)，其具有多个气体供给孔(61a、62a、63a)，被划分为与该基板(W)的部相对的区域(53)和与该基板(W)的周边部相对的周边区域(54)；向区域(53)供给第一处理气体的第一处理气体供给单元；向区域(53)供给第二处理气体的第二处理气体供给单元；能量供给单元，其供给用于使第一处理气体和第二处理气体在基板(W)上反应的能量；和吹扫气体供给单元，其用于在切换第一处理气体的供给和第二处理气体的供给时，向气体喷淋头(51)的区域(53)和周边区域(54)供给吹扫气体。 | ||
| 申请公布号 | CN101647104A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200880010113.2 | 申请日期 | 2008.03.13 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 高木俊夫 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种成膜装置，其特征在于，包括：处理容器；配置在所述处理容器内，用于载置基板的载置台；气体喷淋头，其与载置在所述载置台上的基板相对地设置，并且具有多个气体供给孔，被划分为与该基板的中央部相对的中央区域和与该基板的周边部相对的周边区域；第一处理气体供给单元，其具有用于向所述气体喷淋头的所述中央区域供给第一处理气体的第一处理气体供给通路；第二处理气体供给单元，其具有用于向所述气体喷淋头的所述中央区域供给第二处理气体的第二处理气体供给通路；能量供给单元，其供给用于使第一处理气体和第二处理气体在所述基板上反应的能量；和吹扫气体供给单元，其用于在切换所述第一处理气体的供给和所述第二处理气体的供给时，向所述气体喷淋头的所述中央区域和所述周边区域供给吹扫气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||