| 发明名称 | 非易失性存储器控制方法及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性存储器控制方法及半导体装置，可在非易失性存储器中，在不会不期望地增大写入次数的情况下使阈值返回变动前的状态。在包括非易失性存储器(14)、随机数发生器(12)和可存取上述非易失性存储器的控制器(11)的系统中，每次对上述非易失性存储器进行存取时，根据上述随机数发生器发生的随机数，由上述控制器确定刷新对象区。然后使上述控制器执行对上述刷新对象区进行再写入的刷新控制。通过这样的刷新控制，在不会不期望地增大写入次数的情况下使阈值返回变动前的状态。 | ||
| 申请公布号 | CN101645306A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200910151325.9 | 申请日期 | 2009.06.30 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 望月义则;受田贤知;盐田茂雅 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 许海兰 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器控制方法，是具有非易失性存储器、可生成随机数的随机数发生器和与上述随机数发生器连接且可存取上述非易失性存储器的控制器的系统中的非易失性存储器控制方法，其特征在于，每次对上述非易失性存储器进行存取时，使上述控制器执行根据上述随机数发生器发生的随机数确定刷新对象区、对该区进行再写入的刷新控制。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||