| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung offenbart eine Sensorvorrichtung mit einem ersten, siliziumbasierten Sensorelement, welches ausgebildet ist sichtbares Licht, welches auf eine Vorderseite des ersten, siliziumbasierten Sensorelements auftrifft, zu erfassen, und einem zweiten Sensorelement, welches auf der Rückseite des ersten, siliziumbasierten Sensorelements angeordnet ist und ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge von im Wesentlichen 1000 Nanometer bis 2000 Nanometer, insbesondere 1300 Nanometer bis 1600 Nanometer, zu erfassen. Ferner offenbart die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Sensorvorrichtung. |
