| 主权项 |
1.一种制作瓶状深沟渠之方法,包含有:提供一基底,其上设有一衬垫层;蚀刻该衬垫层以及该基底,形成一深沟渠,具有垂直侧壁以及底面;以原子沉积法于该衬垫层表面形成一非金属保护层,且该非金属保护层延伸至该深沟渠内之该垂直侧壁上部;以及进行一等向性蚀刻制程,利用该非金属保护层为蚀刻遮罩,蚀刻未被该非金属保护层覆盖之该深沟渠内之垂直侧壁及底面,以形成一瓶状深沟渠。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该原子沉积法系于一低压化学气相沉积(1ow-pressure chemicalvapor deposition, LPCVD)反应室中进行。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非金属保护层系利用复数次原子沉积法所沉积形成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该非金属保护层为原子沉积氮化矽层或原子沉积氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等向性蚀刻制程为一湿蚀刻制程。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该湿蚀刻制程之蚀刻剂为氨水(NH4OH)。图式简单说明:图一至图四为习知在基底上制作一瓶状深沟渠方法的制程示意图。图五至图八为本发明在基底上制作一瓶状深沟渠方法的制程示意图。 |
