用以形成矽氧化膜之方法及装置

摘要

本发明之用以形成矽氧化膜之方法，系将表面具有矽层之被处理基板搬入反应容器内已设定为400℃以下之搬入温度之处理区域内。接着，将收纳有前述被处理基板之前述处理区域从前述搬入温度升温到650℃以上之处理温度。在前述处理区域升温时，将水蒸气供给到前述反应容器内。在此，将前述处理区域之环境气体之前述水蒸气浓度设定为第1浓度，前述处理区域之压力为第1减压压力。将前述处理区域升温到前述处理温度之后，将氧化气体供给到前述反应容器内，使前述矽层氧化以形成矽氧化膜。