在半导体器件设置中提供自对准接点的方法

摘要

一种用于沟槽电源MOSFET的自对准接点的方法，其包括在衬底中贯穿淀积在氧化物层上的氮化硅掩模蚀刻沟槽，在沟槽壁上形成栅极氧化物层，施加多晶硅以填充沟槽和覆盖氮化硅掩模的表面，从氮化硅掩模的表面除去多晶硅，和施加光刻胶掩模以覆盖栅极总线的位置。还包括使形成在有源区中的沟槽中的多晶硅栓塞下凹，以在多晶硅栓塞上方形成凹槽，用绝缘材料填充形成在有源区中的沟槽中多晶硅栓塞上方的凹槽，施加第四光刻胶掩模以限定在氮化物层中打开的接触窗口，并选择蚀刻氮化硅膜，留下覆盖位于有源区中的沟槽的平坦表面氧化物按钮。且采用自对准间隔操作限定电接触沟槽，并且施加第五光刻胶掩模，以便对与半导体器件有源区接触的金属接点进行构图。

主权项

1.一种在半导体器件中提供自对准接点的方法，其特征在于，包括：在衬底中通过光刻胶掩模蚀刻沟槽和在所述沟槽的壁上形成栅极氧化物层；施加多晶硅以填充所述沟槽；从掩模的表面除去所述多晶硅，然后施加光刻胶掩模以覆盖栅极总线的位置；以及使形成在位于有源区中的沟槽中的多晶硅栓塞下凹，以便在多晶硅栓塞上方形成凹槽。