| 主权项 |
1.一种避免形成尖峰及微沟槽之蚀刻方法,包括:提供一基板,该基板形成有一介电层及一抗反射层;至少使用一具有特定氟碳成分比之第一气体及氧气作为反应气体,在第一功率及第一压力条件下,对该抗反射层及该介电层进行电浆蚀刻以在该介电层中形成沟槽;其中,该第一气体之氟碳成分比必须不小于3、该第一功率系在700到1000W的范围、以及该第一压力系在80到150mtorr的范围。2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括在50℃以下藉由一氟基溶剂清理蚀刻后之残留物。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系一低介电材料且介电常数为2.0到3.0之间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一气体系CF4气体。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该反应气体更加入一氩气。6.一种避免形成尖峰及微沟槽之蚀刻方法,适用于形成双镶嵌结构,包括:提供一基板,该基板上至少依序形成有内连线、终止层、介电层及抗反射层;定义蚀刻该抗反射层及该介电层以形成一接触开口并露出该终止层;定义蚀刻该抗反射层及该介电层,以形成一沟槽重叠于该接触开口上;其中该沟槽系至少使用一具有特定氟碳成分比之第一气体及氧气作为第一反应气体,在第一功率及第一压力条件下,对该介电层进行电浆蚀刻;定义蚀刻该终止层以露出该内连线;其中至少使用一具有特定氟碳成分比之第二气体及氧气作为第二反应气体,在低于该第一功率及该第一压力之第二功率及第二压力条件下,对该终止层进行电浆蚀刻;其中,该第一气体及该第二气体之氟碳成分比必须不小于3。7.如申请专利范围第6项所述之方法,更包括在50℃以下藉由一氟基溶剂清理该蚀刻后之残留物。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该介电层系一低介电材料且介电常数为2.0到3.0之间。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一气体系CF4气体。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第二气体系择自于CF4及CHF3之至少一种气体。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一功率系在700到1000W的范围。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一反应气体更加入一氩气。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一压力系在80到150mtorr的范围。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第二功率在250到500W的范围。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第二压力在30到70mtorr的范围。图式简单说明:第1A到1E图系绘示出习知形成双镶嵌结构之剖面示意图;第2图系绘示出有额外增设蚀刻终止层之双镶嵌结构剖面示意图;第3A到3C图系绘示出根据本发明实施例一之形成沟槽之剖面示意图;第4A到4E图系绘示出根据本发明实施例二之形成双镶嵌结构剖面示意图。 |
