| 发明名称 | 溅镀装置及成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明的溅镀装置(1)设有第一～第四靶材(21a～21d)。第一、第二靶材(21a～21b)的表面相互对置，第三、第四靶材(21c～21d)的表面也相互对置。形成介质膜时，交替地溅射第一、第二靶材(21a～21b)和第三、第四靶材(21c～21d)。其表面相互对置的2个靶材(21a～21d)被溅射时，另2个靶材(21a～21d)用作接地的功能。其结果，使异常放电得到了抑制。 | ||
| 申请公布号 | CN101356297A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200780001165.9 | 申请日期 | 2007.01.16 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 高泽悟;浮岛祯之;谷典明;石桥晓 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种溅镀装置，设有：其表面相互对置的第一、第二靶材；其表面平行于所述第一靶材的表面的第三靶材；其表面平行于所述第二靶材的表面，与所述第三靶材对置的第四靶材；以及设于所述第一～第四靶材背面的第一～第四阴极；使薄膜在面对所述第一、第二靶材之间的空间相对的位置处的成膜对象物表面上形成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||