| 摘要 |
本发明系关于一种双平台架构式半导体雷射装置，其结构含有一雷射晶片层(VCSEL)；成型于雷射晶片层一表面之二个独立平台，分别界定为发光主动区平台及打线平台；填充于二独立平台间的平坦化表面介电层；位于前述介电层表面且含有接触区孔对应第一独立平台之保护层；镀覆于前述保护层表面的金属层结合第一独立平台，并延伸于第二独立平台形成第一独立平台打线用接线衬垫；前述双平台可独立被设计，界定为打线平台的第二独立平台直接为半导体架构，可进一步由离子布植调整其电容值，同时打线强度较高，更可由填充于双平台外侧之介电层，降低连线金属电容，且易于获得平坦化利于金属层制作。 |
