Epitaktischer ohmscher Kontakt für integrierte Heterostruktur von II-VI-Halbleitermaterialien und Verfahren zu seiner Herstellung,申请号DE19936015832-传众专利搜索

发明名称	Epitaktischer ohmscher Kontakt für integrierte Heterostruktur von II-VI-Halbleitermaterialien und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要
申请公布号	DE69315832(D1)	申请公布日期	1998.01.29
申请号	DE19936015832	申请日期	1993.05.07
申请人	NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY, RALEIGH, N.C., US	发明人	SCHETZINA, JAN, FREDERICK, CARY, NC 27511, US
分类号	H01L29/43;H01L21/28;H01L21/443;H01L33/00;H01L33/28;H01L33/40;H01S5/02;H01S5/042;H01S5/183;H01S5/327;(IPC1-7):H01L33/00	主分类号	H01L29/43
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