低温烧结之陶瓷介电质组成物

摘要

本发明系关于一种低温烧结之陶瓷介电质组成物，其主要可制成低成本、且具有高频率效益的积层陶瓷电容器，该种介电材质之介电常数为70～80，其温度系数以介电质在＋25℃及1MHZ为参考点的比较下，其在温度范围-55℃～125℃之间呈现稳定的±30ppm／℃变化，此低温烧结之介电质组成物主要包含有一硷基介电陶瓷成份(base dielectric ceramic formulation)，与一得自金属氧化物或其它氧化物成份的低熔点掺杂物成份(dopant formulation)所制成，另外，添加占陶瓷成份与掺杂物成份总量中少量重量比例的三氧化二硼(B2O3)，藉此，混合物可以在低于900℃的温度下烧结以制成积层陶瓷电容器。092126458-p01.bmp