低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的制造方法

摘要

一种低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的制造方法，首先依序形成缓冲层、第一金属层于基板上。接着使用一第一光罩对第一金属层进行微影蚀刻程序，以定义出闸极结构。再依序形成绝缘层、半导体层于基板上。接着对半导体层进行离子布值程序。紧接着，形成第二金属层于半导体层上。然后使用第二光罩对第二金属层与半导体层进行微影蚀刻程序，以定义出主动区域、源极结构与汲极结构。接着，形成保护层于基板上，再使用第三光罩对保护层进行微影蚀刻程序，以曝露出汲极结构的部分区域。最后形成透明电极层于保护层上，并使用第四光罩对透明电极层进行微影蚀刻程序，以定义画素电极于保护层表面，且电性连接至汲极结构。

主权项

1、一种在基板上形成低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的制造方法，该方法至少包含下列步骤：形成一缓冲层于该基板上：形成一第一金属层于该缓冲层上；使用一第一光罩对该第一金属层进行微影蚀刻程序，以定义薄膜电晶体的闸极结构；形成一绝缘层于该缓冲层、该闸极结构与该基板表面上；形成一半导体层于该绝缘层上，做为该薄膜电晶体的通道区域使用；对该半导体层进行离子布值程序；形成一第二金属层于该半导体层上；使用一第二光罩对该第二金属层与该半导体层进行微影蚀刻程序，以定义该薄膜电晶体的主动区域与源极结构以及汲极结构；形成一保护层于该基板上；使用一第三光罩对该保护层进行微影蚀刻程序，以曝露出该汲极结构的部分区域；形成一透明电极层于该保护层上；以及使用一第四光罩对该透明电极层进行微影蚀刻程序，以定义画素电极于该保护层表面，且电性连接至该汲极结构。