| 发明名称 | 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种生长高迁移率氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：先在衬底上采用金属有机物化学气相沉积生长一层低温氮化镓成核层；随后升高衬底的温度，在低温氮化镓成核层上生长氮化镓恢复层；最后在生长室压力为400-600torr条件下，在氮化镓恢复层上生长非有意掺杂氮化镓层，室温迁移率不小于400cm<SUP>2</SUP>/V.s。 | ||
| 申请公布号 | CN1313655C | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200410046040.6 | 申请日期 | 2004.06.02 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种生长高迁移率氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：先在衬底上采用金属有机物化学气相沉积生长一层低温氮化镓成核层；随后升高衬底的温度，在低温氮化镓成核层上生长氮化镓恢复层；最后在生长室压力为400-600torr条件下，在氮化镓恢复层上生长非有意掺杂氮化镓层，该层氮化镓室温迁移率不小于400cm2/V.s。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||