发明名称 |
金属内连线的制作方法与结构 |
摘要 |
一金属内连线工艺与结构,其提供设有第一导电体的衬底,先于衬底上形成第一介电层与第一图案化硬掩模,再用第一图案化硬掩模蚀刻形成第一开口与第二导电体,并于第一图案化硬掩模上形成第二介电层与第二图案化硬掩模。最后用第二图案化硬掩模作蚀刻掩模且用第一图案化硬掩模作蚀刻停止层形成第二开口与第三导电体。 |
申请公布号 |
CN101000885A |
申请公布日期 |
2007.07.18 |
申请号 |
CN200610005188.4 |
申请日期 |
2006.01.13 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
周珮玉;黄俊仁 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一金属内连线工艺,包括:提供一衬底,且该衬底上设置有至少一第一导电体;于该衬底上形成一第一介电层并覆盖该第一导电体之上;于该第一介电层上形成一第一图案化硬掩模,用以定义至少一第一开口位置;利用该第一图案化硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻该第一介电层,以于该第一介电层中形成该第一开口;于该第一开口中形成一第二导电体,并电连接该第一导电体;于该第一图案化硬掩模与该第二导电体上形成一第二介电层;于该第二介电层上形成一第二图案化硬掩模,用以定义至少一第二开口位置;利用该第二图案化硬掩模作为蚀刻掩模并利用该第一图案化硬掩模与该第二导电体表面作为蚀刻停止层来蚀刻该第二介电层,以于该第二介电层中形成该第二开口;以及于该第二开口中形成一第三导电体,并电连接该第二导电体。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |