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发明名称
金属闸极的制作方法
摘要
一种利用两阶段溅镀沉积金属薄膜以降低闸极介电层损伤的金属闸极之制作方法。依序采用第一阶段为低功率溅镀,第二阶段为高功率溅镀的金属薄膜沉积制程来制作金属闸极。其中,低功率溅镀沉积制程,可降低于溅镀沉积过程中,高能量的粒子对闸极介电层的轰击损伤或穿透效应所导致闸极介电层的破坏;而高功率溅镀沉积制程,则可维持整体金属闸极的高导电性及制程的高产出(throughput)需求。
申请公布号
TW200515493
申请公布日期
2005.05.01
申请号
TW092128664
申请日期
2003.10.16
申请人
财团法人国家实验研究院
发明人
吴文发;吴其昌
分类号
H01L21/28
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
台北市大安区和平东路2段106号3楼
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