包括氧氮化矽介电层之半导体元件的处理方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的处理方法，该半导体元件包括藉由将氮原子并至包括氧化矽的介电层中而被部分转化成氧氮化矽的一介电层。根据本发明，在将氮原子引入氧化矽的介电层内之前，该介电层系提供做为氧化矽，其中，所选的矽原子对氧原子比系大于1／2。在本方法中，尤其，所得到的MOS电晶体具有一介于介电区及半导体基板之间的高品质介面，具有与所沉积之介电层实质相同厚度的介电区使来自该闸极区的杂质原子无法渗透而出。