| 发明名称 |
DRY ETCHING METHOD, METHOD FOR FORMING FINE STRUCTURE, MOLD AND METHOD FOR PRODUCING SAME |
| 摘要 |
<p>A WC substrate 7 is etched by using plasma 50 generated from a gas including a chlorine atom.</p> |
| 申请公布号 |
EP1884505(A1) |
申请公布日期 |
2008.02.06 |
| 申请号 |
EP20060756470 |
申请日期 |
2006.05.23 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
发明人 |
NAKAGAWA, HIDEO;SASAGO, MASARU;MURAKAMI, TOMOYASU |
| 分类号 |
C04B41/91;C03B11/00;C23F4/00;G02B6/13 |
主分类号 |
C04B41/91 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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