制造非及型快闪装置的方法

摘要

本发明揭示一种制造非及型快闪装置的方法，该非及型快闪装置能藉由在形成一P井之一离子植入程序后实行一退火程序，而提高干扰失败特征之均匀度，藉由在控制一临界电压之一离子植入程序后，而在形成一高电压闸极氧化膜之一程序前实行一退火程序，而减少一失败位元计数，并藉由省略一单元区域中之一STI离子植入程序而防止干扰失败。