| 摘要 |
本发明之课题系于一种优先电路中，在不造成传播经过串联连接之电晶体之信号的电压位准劣化的情况下，高速进行优先顺位之赋与。为达成前述目的，本发明系藉由预充电启动信号ENABLE之控制，使NMOS电晶体107成为关闭而优先电路处于非动作状态之时，藉由预充电用PMOS电晶体1060～1063，将传播信号节点P1～P3与输出端子HIT之电位预充电至H电位。藉此，NMOS电晶体107将开启，优先电路转变成动作状态之时，若输入信号中不含有H信号的话，HIT检测用PMOS电晶体1030～1033将传播信号节点P1～P3与输出端子HIT电位提高至H电位之际，抑制传播信号之劣化，防止因杂讯之影响而造成的误动作。 |
