| 摘要 |
본 발명은, 연마 입자로서 결정성의 금속 산화물 입자를 포함하는 연마 조성물로서, 상기 금속 산화물 입자가, 분말 X선 회절 패턴에 있어서의 회절 강도가 최대로 되는 피크 부분의 반값폭이 1미만인 것인 것을 특징으로 하는 연마 조성물이다. 이에 의해 반도체 기판의 연마 공정, 특히 텅스텐 등의 금속층을 가지는 반도체 기판의 화학기계 연마 공정에 있어서, 높은 연마 속도를 가지고, 또한 반도체 장치의 신뢰성 저하의 원인으로 되는 스크래치 및 디슁 등의 결함의 발생을 억제하는 연마 조성물 및 연마 방법, 그리고 연마 조성물의 제조 방법이 제공된다. |
