| 主权项 |
1.一种导线架上覆晶接合方法,包含:提供一氧化处理之导线架,该导线架系包含有复数个导脚,每一导脚系具有一上表面,该些导脚之上表面系形成有一氧化层,该些导脚系具有一被该氧化层覆盖之覆晶接合部;提供一覆晶晶片,该覆晶晶片系具有复数个凸块;形成一助焊剂(flux)于该些凸块;及覆晶接合该覆晶晶片至该导线架,以使该些凸块系对应接合于该些导脚之该些覆晶接合部,其中该助焊剂系去除在该些覆晶接合部上之该氧化层,以利回焊连接该些凸块与该些导脚之覆晶接合部。2.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶接合方法,其中该些凸块系为锡铅凸块。3.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶接合方法,其另包含有:形成一封胶体,以密封该些凸块。4.如申请专利范围第3项所述之导线架上覆晶接合方法,其中该封胶体系显露出该些导脚之下表面。5.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶接合方法,其中该氧化层更形成于该些导脚之下表面与侧面。6.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶接合方法,其中该氧化层系为一黑化层。7.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶接合方法,其中该氧化层系为一棕化层。8.一种导线架上覆晶接合构造,包含:一氧化处理之导线架,其系包含有复数个导脚,每一导脚系具有一上表面,该些导脚之上表面系形成有一氧化层,且该些导脚系具有一覆晶接合部;及一覆晶晶片,其系具有复数个凸块,该覆晶晶片系覆晶接合至该导线架,以使该些凸块系对应接合于该些导脚之该覆晶接合部;其中,在该些覆晶接合部上之该氧化层系被去除,以使该些凸块回焊连接于该些导脚之覆晶接合部,在该些覆晶接合部外未被去除之该氧化层系抑制该些凸块之扩散。9.如申请专利范围第8项所述之导线架上覆晶接合构造,其中该些凸块系为锡铅凸块。10.如申请专利范围第8项所述之导线架上覆晶接合构造,其另包含有一封胶体,以密封该些凸块。11.如申请专利范围第10项所述之导线架上覆晶接合构造,其中该封胶体系显露出该些导脚之下表面。12.如申请专利范围第8项所述之导线架上覆晶接合构造,其中该氧化层更形成于该些导脚之下表面与侧面。13.如申请专利范围第8项所述之导线架上覆晶接合构造,其中该氧化层系为一黑化层。14.如申请专利范围第8项所述之导线架上覆晶接合构造,其中该氧化层系为一棕化层。图式简单说明:第1图:习知覆晶晶片接合于一导线架之截面示意图;第2图:依据本发明之导线架上覆晶接合方法,一导线架之截面示意图;第3图:依据本发明之导线架上覆晶接合方法,在该导线架上之覆晶晶片之截面示意图;第4图:依据本发明之导线架上覆晶接合方法,该覆晶晶片在覆晶接合于该导线架之后之截面示意图;及第5图:依据本发明之导线架上覆晶接合方法,该覆晶晶片在形成一封胶体后之截面示意图。 |
