| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种具有场效应晶体管的半导体装置,在硅衬底10上依次沉积第1硅层12(Si层)、含碳的第2硅层13(Si<SUB>l-y</SUB>C<SUB>y</SUB>层)和不含碳的第3硅层14。由于Si<SUB>l-y</SUB>C<SUB>y</SUB>层的晶格常数比Si层的小,第2硅层13的导带和价带受到拉伸应变而被分离。被施加给栅极电极16的电场激发了的有效质量小的电子被关在第2硅层13中,在沟道方向上移动。这样,能得到移动速度极高的n－MOSFET。如果由Si<SUB>1-x-y</SUB>Ge<SUB>x</SUB>C<SUB>y</SUB>构成第2硅层13,就成为适应于高性能CMOS器件的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1218994A | 申请公布日期 | 1999.06.09 |
| 申请号 | CN98123113.6 | 申请日期 | 1998.12.03 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 高木刚 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/778 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1．一种在衬底上具有场效应晶体管的半导体装置，其特征在于：上述场效应晶体管包括：在上述衬底上所形成的第1硅层；形成在上述第1硅层上、且含碳并从上述第1硅层接受拉伸而应变的第2硅层；以及在上述第2硅层上所形成的栅极电极，上述第2硅层作为上述场效应晶体管的沟道区域而起作用。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||