发明名称 MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND THE USE THEREOF AS STORAGE ELEMENT IN A STORAGE CELL ARRAY
摘要 Ein magnetoresistives Element weist ein erstes ferromagnetisches Schichtelement (11), ein nichtmagnetisches Schichtelement (13) und ein zweites ferromagnetisches Schichtelement (12) auf, die so angeordnet sind, dass das nichtmagnetische Schichtelement (13) zwischen dem ersten ferromagnetischen Schichtelement und dem zweiten ferromagnetischen Schichtelement (12) angeordnet ist. Das erste ferromagnetische Schichtelement (11) und das zweite ferromagnetische Schichtelement (12) weisen im wesentlichen das gleiche Material auf, sie unterscheiden sich jedoch in ihrem Querschnitt parallel zur Grenzfläche zu dem nichtmagnetischen Schichtelement (13) dadurch, dass sie in mindestens einer Dimension unterschiedliche Abmessungen aufweisen. Das magnetoresistive Element ist sowohl als Sensorelement als auch als Speicherelement einer Speicherzellenanordnung geeignet.
申请公布号 WO0010178(A1) 申请公布日期 2000.02.24
申请号 WO1999DE02387 申请日期 1999.08.02
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;SCHWARZL, SIEGFRIED 发明人 SCHWARZL, SIEGFRIED
分类号 H01F10/30;G01R33/09;G11B5/39;G11C11/16;H01F10/32;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):H01F10/08;G11C11/15;G11C11/155 主分类号 H01F10/30
代理机构 代理人
主权项
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