摘要 |
Ein magnetoresistives Element weist ein erstes ferromagnetisches Schichtelement (11), ein nichtmagnetisches Schichtelement (13) und ein zweites ferromagnetisches Schichtelement (12) auf, die so angeordnet sind, dass das nichtmagnetische Schichtelement (13) zwischen dem ersten ferromagnetischen Schichtelement und dem zweiten ferromagnetischen Schichtelement (12) angeordnet ist. Das erste ferromagnetische Schichtelement (11) und das zweite ferromagnetische Schichtelement (12) weisen im wesentlichen das gleiche Material auf, sie unterscheiden sich jedoch in ihrem Querschnitt parallel zur Grenzfläche zu dem nichtmagnetischen Schichtelement (13) dadurch, dass sie in mindestens einer Dimension unterschiedliche Abmessungen aufweisen. Das magnetoresistive Element ist sowohl als Sensorelement als auch als Speicherelement einer Speicherzellenanordnung geeignet.
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