横型异质结双极三极管及其制造方法

摘要

一种横型异质结双极三极管及其制造方法是由积层Si基板、BOX层以及半导体层形成所谓的SOI构造。然后,在半导体层中,具有由硅构成的集电极、围绕集电极的SiGeC/Si层、n型多晶硅构成的发射极和外部基极层。内部基极层由Si_1－x－yGe_xC_y层构成。利用异质结构造,可以将内部基极层低阻抗化,并且可以抑制通过外延生长形成由Si_1－x－yGe_xC_y层构成内部基极层中的杂质的扩散。该二极管具有寄生电容和寄生阻抗小、可以将内部基极层低阻抗化。

主权项

1．一种横型异质结双极三极管，其特征是包括具有绝缘层的基板、在所述绝缘层上设置的台面状的第1半导体层、在所述第1半导体层的侧面通过外延生长形成和所述第1半导体层的带隙不同的第2半导体层、在所述第2半导体层的侧面通过外延生长形成和所述第2半导体层的带隙不同的第3半导体层，所述第2半导体层的至少一部分成为第2导电型的内部基极层。