| 发明名称 | 导体衬底，半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 安装半导体元件的导体衬底，所述导体衬底的至少安装所述半导体元件的部分被绝缘树脂密封，其中所述导体衬底的最上表面层包括铜或其合金，并利用通过所述导体衬底的表面处理形成的含有氢氧化物的铜氧化物层覆盖部分或整个所述导体衬底，以及生产所述导体衬底的方法和生产使用所述导体衬底的半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1538518A | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN200410033875.8 | 申请日期 | 2004.04.15 |
| 申请人 | 新光电气工业株式会社 | 发明人 | 关和光;宫原义仁;吴宗昭 |
| 分类号 | H01L23/12;H01L23/28;H01L23/495;H01L23/00 | 主分类号 | H01L23/12 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种安装半导体元件的导体衬底，所述导体衬底的至少安装所述半导体元件的部分被绝缘树脂密封，其中所述导体衬底的最上表面层包括铜或其合金，并且所述导体衬底被通过所述导体衬底的表面处理形成的含有氢氧化物的铜氧化物层部分或整体覆盖。 | ||
| 地址 | 日本长野县 | ||