CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法

摘要

一种CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法，其中CMOS图像传感器形成方法，包括：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有阻挡层；刻蚀阻挡层，形成浅沟槽图形；在阻挡层上形成掩膜层；在掩膜层上形成光刻胶层后，去除外围电路区的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，去除外围电路区的掩膜层；去除像素单元区的光刻胶层后，沿浅沟槽图形刻蚀掩膜层和半导体衬底，分别在像素单元区形成第一浅沟槽，外围电路区形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深；在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层后，去除掩膜层和阻挡层；在外围电路区和像素单元区半导体衬底上形成晶体管。本发明保证了浅沟槽的隔离功能。

主权项

1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有阻挡层；刻蚀阻挡层，形成浅沟槽图形；在阻挡层上形成掩膜层；在掩膜层上形成光刻胶层后，去除外围电路区的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，去除外围电路区的掩膜层；去除像素单元区的光刻胶层后，沿浅沟槽图形刻蚀像素单元区的掩膜层和半导体衬底，形成第一浅沟槽，刻蚀外围电路区的半导体衬底，形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深；在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层后，去除掩膜层和阻挡层；在外围电路区和像素单元区的半导体衬底上形成晶体管。