| 主权项 |
1.一种崁式功率半导体封装装置(二),包括:一引线体;一半导体元件,其连结该引线体;一杯体,其内形成有杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座,其中该导热座形成有纵向凸起的环状挡墙及横向凸出之固持墙,且该导热座连结该半导体元件;一缓冲套筒,系环绕地置放于该沟槽内且接触于该杯体内壁;一绝缘胶,涂覆于该半导体元件及该导热座上,藉使半导体元件与非接触之区域绝缘;及一隔离胶,浇注于该杯体腔部内并且覆盖于该绝缘胶上。2.如申请专利范围第1项所述之崁式功率半导体封装装置(二),其中该导热座、该杯体腔部及该沟槽系对称性的设置于杯体内部,藉此使半导体元件能置于该导热座时,藉由环状挡墙的限制,使半导体容易置于导热座中央处。3.如申请专利范围第1项所述之崁式功率半导体封装装置(二),其中该绝缘胶的材料为聚醯亚胺(POLYIMIDE)。4.如申请专利范围第1项所述之崁式功率半导体封装装置(二),其中该隔离胶的材料为环氧树脂(EPOXY)。5.如申请专利范围第1项所述之崁式功率半导体封装装置(二),其中该缓冲套筒的材料为具弹性且可耐摄氏二百度以上的塑胶材料。6.如申请专利范围第1项所述之崁式功率半导体封装装置(二),其中该缓冲套筒内侧进一步形成有一卡合部系卡合于该隔离胶。7.如申请专利范围第6项所述之崁式功率半导体封装装置(二),其中该缓冲套筒的该卡合部系朝该杯体腔部凸出,并且该卡合部卡入该隔离胶内。8.如申请专利范围第1项所述之崁式功率半导体封装装置(二),其中该杯体底面设有凹部。图式简单说明:第一图:系先前相关技术之崁式功率半导体封装装置剖面图。第二图:系本创作之崁式功率半导体封装装置(二)局部剖视图。第二A图:系第二图中A部份的局部放大图。第三图:系本创作之崁式功率半导体封装装置(二)之杯体剖视图。 |
