| 主权项 |
1.一种金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其包含金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)S极,金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)G极,金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)D极,肖特基二极体的K极和A极,特征在于,该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的D极与该肖特基二极体的A极位于同一侧。2.如申请专利范围第1项所述的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其特征在于,还包含一引线框架,该引线框架包含第一引线(1)为该肖特基二极体的K极,与该肖特基二极体的第二载片台(12)相连;第四引线(4)为该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的D极,其和该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的该第一载片台(11)相连;该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的D极与肖特基二极体的A极位于该封装引线伸出端的同一侧。3.如申请专利范围第2项所述的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其特征在于,该引线框架还包含一第五引线,该第五引线(5)和该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的第一载片台(11)相连。4.如申请专利范围第2或3项所述的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其特征在于,该引线框架还包含一第六引线,该第六引线(6)为该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的D极,和该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的第一载片台(11)内部相连。5.如申请专利范围第4项所述的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其特征在于,所述的第四、五和六引线最少有二者在封装器件内部或外部相连。6.如申请专利范围第2项所述的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其特征在于,还包含第二引线,该第二引线(2)的打线区域为L形。7.如申请专利范围第4项所述的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其特征在于,所述的第六引线(6)呈T形结构。8.如申请专利范围第4项所述的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其特征在于,所述的第六引线(6)的打线区域加长。9.如申请专利范围第6项所述的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其特征在于,所述的第二引线(2)为该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的S极,或是该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的G极。10.如申请专利范围第3项所述的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小外形封装,其特征在于,该第五引线可以省略。图式简单说明:第1图为背景技术内部的具体应用的电路示意图;第2图为背景技术瘦小外形封装引线框架的结构示意图;第3图为背景技术瘦小外形封装引线具体应用的示意图;第4图为本创作6脚瘦小外形封装引线框架的结构示意图;第5图为本创作6脚瘦小外形封装引线具体应用的示意图;第6图为本创作内部的具体应用的电路示意图。 |
