发光二极体封装结构改良

摘要

本创作提供一种发光二极体封装结构改良，其系一矽晶基板，在矽晶基板表面上设置二电极、一电路层及复数发光源，其中此电路层系与二电极电性连接，且每一发光源与电路层形成电性连接，并在矽晶基板表面上设置一封装层将电路层及每一发光源包覆。本创作藉由厚度很薄的矽晶材质基板，使承载基板本身之热导性增加，进而使组装后结构之热阻降低而提高散热效率。另外因矽晶材质的热膨胀系数接近于二极体晶片，可使组装后成品于受热时不易产生挠曲而致使晶片受损，同时藉由矽晶材质做LED布设基座，可使LED设置之密集度大幅提高。

主权项

1.一种发光二极体封装结构改良,包括:一矽晶基板,其具有一第一表面及一第二表面,且在该第一表面上设有二电极端点;一电路层,其系设置在该矽晶基板之该第一表面上并与该二电极端点作电性连接;复数个发光源,其系设置在该矽晶基板之该第一表面上且与该电路层形成电性连接;以及一封装层,其系设置在该矽晶基板上,将该电路层及每一该发光源包覆。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构改良,其中,该等发光源系为发光二极体(LightEmitting Diode)。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构改良,其中,该矽晶基板之该第一表面更预先设置一绝缘层。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构改良,其中,该矽晶基板之该第一表面设置该绝缘层之前,可预先舖设一抗突波电路于该第一表面上,用以防此突波效应的损伤。5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构改良,其中,该发光源设置于该矽晶基板之方式系为打线(Wire Bonding)方式或覆晶(Flip Chip)接合方式。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构改良,其中,该封装层之材料系为矽胶或环氧树脂高分子聚合物。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构改良,其中,该发光源应用于白光照明时,则可以在该封装层之材料内添加萤光材料。8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构改良,其中,该矽晶基板之第二表面上更可设置一散热装置。9.如申请专利范围第8项所述之发光二极体封装结构改良,其中,该散热装置系为散热鳍片、热导管、均热板或以蒸气循环为均热原理之散热装置组合。10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构改良,其中,该矽晶基板材质系为P或N掺杂型式之矽单晶或碳化矽(SiC)等导热性能良好之材料。图式简单说明:第一图为本创作之立体图。第二图为本创作之LED与电路层打线方式连接剖面示意图。第三图为本创作之LED与电路层覆晶方式连接剖面示意图。第四图为本创作结合散热鳍片之立体示意图。