半导体发光元件及半导体发光装置

摘要

本发明系拟提供一种光取出效率高，且良率(生产量)为高，寿命为长之半导体发光元件及半导体发光装置者。具备有如以下之半导体发光元件，和发光层(11A)(会放射光)及基板(100)(对于来自前述发光层的前述光具有透光性。具备有：配设前述发光层之上面、与前述上面成相对向的底面、及联结前述上面和前述底面之侧面。前述侧面系具有：从前述上面侧朝向底面侧之第1侧面(11)；从该第1侧面朝向前述底面侧的第2面(112)；及从该第2侧面朝向前述底面侧之第3侧面(113)。而前述第3侧面系朝前述上面扩大宽度状成倾斜。前述第2侧面则朝前述上面更扩大地倾斜，以射出来自前述发光层之前述光的一部分至外部。至于前述第1侧面系以沿着劈开面来劈开而所获得之侧面。)

主权项

1.一种半导体发光元件,具备有:发光层,用来放射光;及基板,对于来自前述发光层的前述光具有透光性,且具有:配设有前述发光层之上面、与前述上面成相对向的底面、及联结前述上面与底面之侧面;而前述侧面系具有:从前述上面侧朝向底面侧的第1侧面、从前述第1侧面朝向前述底面侧之第2侧面、及从该第2侧面朝向前述底面侧的第3侧面;又前述第3侧面系倾斜成朝前述上面增大宽度,前述第2侧面系倾斜成朝前述上面更增大宽度,以令来自前述发光层之前述光的一部分射出于外部,前述第1侧面系以沿着劈开面来劈开而获得之侧面。2.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中前述基板为GaP基板。3.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中前述发光层包含InGaAlP。4.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中前述基板的前述第2侧面与垂直于前述上面方向的角度形成为20以上40以下。5.如申请专利范围第2项之半导体发光元件,其中前述基板乃从[100]面朝[011]方向倾斜成5以上30以下。6.如申请专利范围第2项之半导体发光元件,其中形成有高度1m以上2m以下的复数之凹凸在前述第2侧面及前述第3侧面的表面。7.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中形成有沟于前述基板的前述底面。8.一种半导体发光元件,具备有:发光层,用来放射光;基板,对于来自前述发光层的前述光具有透光性,且具有:配设有前述发光层之上面、与前述上面成相对向的底面、及联结前述上面和前述底面之侧面;而前述侧面系具有:从前述上面侧朝向底面侧的第1侧面、从该第1侧面朝向前述底面侧之第2侧面、及从该第2侧面朝向前述底面侧的第3侧面;又前述第3侧面倾斜成朝前述上面增大宽度,前述第2侧面系倾斜成朝前述上面更增大宽度,以令来自前述发光层之前述光的一部分射出于外部,前述第1侧面系倾斜成与垂直于前述上面有16以上60以下之朝向前述基板的上面形成狭窄状。9.如申请专利范围第8项之半导体发光元件,其中前述基板为GaP基板。10.如申请专利范围第8项之半导体发光元件,其中前述发光层包含有InGaAlP。11.如申请专利范围第8项之半导体发光元件,其中前述基板的前述第2侧面与垂直于前述上面方向的角度形成为20以下40以上。12.如申请专利范围第9项之半导体发光元件,其中形成有高度1m以上2m以下的复数之凹凸于前述第2侧面及前述第3侧面的表面。13.一种半导体发光装置,具备有:具有:发光层及基板,前述发光层用来放射光,而前述基板系对于来自前述发光层的前述光具有透光性,且具有:配设有前述发光层之上面、与前述上面成相对向的底面、及联结前述上面和前述底面之侧面;而前述侧面系具有:从前述上面侧朝向底面侧的第1侧面、及从该第1侧面朝向前述底面侧之第2侧面,又前述第2侧面系倾斜成朝前述上面增大宽度,以令来自前述发光层之光射出于外部,至于前述第1侧面系以沿着劈开面来劈开所获得的侧面之半导体发光元件;引线框;及具有导电性,用于安装前述半导体发光元件之前述基板的前述底面于前述引线框用之安装材料。14.如申请专利范围第13项之半导体发光装置,其中前述半导体发光元件的前述基板乃由GaP所形成,且形成有高度1m以上2m以下之复数的凹凸于前述基板之第2侧面。15.如申请专利范围第14项之半导体发光装置,其中形成有沟于前述基板的前述底面。16.一种半导体发光装置,具备有:具有:发光层及基板,前述发光层用来放射光,而前述基板系对于来自前述发光层的前述光具有透光性,且具有:配设有前述发光层之上面、与前述上面成相对向的底面、及联结前述上面和前述底面之侧面;而前述侧面系具有:从前述上面侧朝向前述底面侧的第1侧面、及从该第1侧面朝向底面侧之第2侧面,又前述第2侧面系倾斜成朝前述上面增大宽度,以令来自前述发光层之光射出于外部,至于前述第1侧面系倾斜成与垂直于前述上面有16以上60以下之朝前述基板的前述上面形成狭窄状之半导体发光元件;引线框;及具有导电性,用于安装前述半导体发光元件之前述基板的前述底面于前述引线框用之安装材料。17.如申请专利范围第16项之半导体发光装置,其中前述半导体发光元件的前述基板乃由GaP所形成,且形成有高度1m以上2m以下之复数的凹凸于前述基板之第2侧面。18.如申请专利范围第17项之半导体发光装置,其中形成有沟于前述基板的前述底面。图式简单说明:图1系显示本发明第1实施形态之半导体发光元件的概要剖面图。图2系显示本发明第1实施形态之半导体发光元件的制造方法之概念剖面图。图3系显示本发明第1实施形态之半导体发光元件的制造方法之概念剖面图,继续于图2的图。图4系显示本发明第1实施形态之半导体发光元件的制造方法之概念剖面图,继续于图3的图。图5系显示本发明第1实施形态之半导体发光元件的制造方法之概念剖面图,继续于图4的图。图6系显示本发明第1实施形态之半导体发光元件的制造方法之概念剖面图,继续于图5的图。图7系显示本发明第1实施形态之半导体发光元件的制造方法之概念剖面图,继续于图6的图。图8系系本发明第1实施形态之半导体发光装置的概念剖面图。图9系系本发明第2实施形态之半导体发光元件的概念剖面图。图10系系本发明第3实施形态之半导体发光元件的概念剖面图。图11系系本发明第3实施形态之半导体发光元件的底面图。图12系系本发明第4实施形态之半导体发光元件的概念剖面图。图13系系本发明第4实施形态之半导体发光装置的概念剖面图。图14系系本发明第5实施形态之半导体发光元件的概念剖面图。图15系系本发明第5实施形态之半导体发光装置的概念剖面图。图16系先前之半导体发光元件的概念剖面图。