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<p>Beim Verfahren zur Herstellung eines Lichtleiterschalters mit wenigstens zwei in einer Ebene angeordneten Lichtleitern und mit einem bewegten optischen Schaltelement (7) aus einem Sandwich-Wafer (39) wird in einem ersten Verfahrensschritt die Deckschicht (43) maskiert und die Maskierung derart vorgenommen, daß nach dem Herstellungsvorgang im Querschnitt freiliegende, bevorzugt bewegliche Teilbereiche (45) insbesondere des Schaltelements (7) eine kleine erste Breitenabmessung und auf dem Grundsubstrat (25) feststehende Schalterteilbereiche (47) eine gegenüber der ersten Breitenabmessung vergrößerte zweite Breitenabmessung haben. In einem zweiten Verfahrensschritt werden die freiliegenden Bereiche der maskierten Deckschicht (43) in einem Trockenätzverfahren mit einem tiefen anisotropen reaktiven Ionenätzverfahren [deep anisotropic reactive ion etching] unter Ausbildung nahezu senkrechter Ätzwände bis zur amorphen Zwischenschicht (41) geätzt. In einem dritten Verfahrensschritt wird ein nur die Zwischenschicht (41) angreifendes Ätzmittel eingesetzt und die Ätzzeit gerade so lang gewählt, bis die Zwischenschicht (41) nur unter den Stegen (45) mit erster Breitenabmessung freigeätzt wird, jedoch keine Stege (47) mit zweiter Breitenabmessung. Die Lichtleiterenden sind derart nahe beieinanderliegend angeordnet, daß gerade noch das Schaltteil (7) zwischenschiebbar ist, jedoch bei herausgezogenem Schaltteil (7) eine Strahlungsüberkopplung von einer Lichtleiterspitze in die andere gegenüberliegende ohne Zuhilfenahme zusätzlicher optischer Abbildungselemente erfolgt.</p> |
