| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft ein Halbleiterbauelement mit einem ersten Dotierungsgebiet (20a, 20b) von einem ersten Leitungstyp (n), welches eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist; einer vorderseitig in dem ersten Dotierungsgebiet (20a, 20b) eingebrachten ersten Wanne (50) vom zweiten Leitungstyp (p); mindestens einer in der ersten Wanne (50) beabstandet von deren Rand eingebrachten zweiten Wanne (60a, 60b) vom ersten Leitungstyp (n<+>); einem mit der ersten Wanne (50) und mit der zweiten Wanne (60a, 60b) verbundenen ersten Anschluss (C); einem zwischen der zweiten Wanne (60a, 60b) und dem Rand der ersten Wanne (50) liegenden Kanalbereich (45a, 45b); einer isoliert über dem Kanalbereich (45a, 45b) vorgesehenen Gatestruktur (70, 80) mit einem Gateanschluss; einem rückseitig vom ersten Dotierungsgebiet (20a, 20b) vorgesehen zweiten Dotierungsgebiet (40) vom zweiten Leitungstyp (p<+>); und einem mit dem zweiten Dotierungsgebiet (40) verbundenen zweiten Anschluss (E). Das erste Dotierungsgebiet (20a, 20b) weist einen Zwischenbereich (30) auf, welcher das erste Dotierungsgebiet (20a, 20b) in einen rückseitigen ersten und einen vorderseitigen zweiten Teil (20a, 20b) teilt. Der Zwischenbereich (30) ist derart gestaltet, dass er zu einer erheblichen Anhebung der Minoritätsträgerdichte im ersten Teil (20a) des ersten Dotierungsgebiets (20a, 20b). <IMAGE></p> |
