发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 一种半导体元件包括一个半导体基体及一个以间距X1排列之突出电极的阵列。该等突出电极中之每一者具有一个高度X3而且是形成于一个连接到一被配置于该半导体基体上之电极之具直径X2的障壁金属基座上俾可满足(X1/2)≦X2≦(3*X1/4)及(X1/2)≦X3≦(3*X1/4)的关系。
申请公布号 TW200525669 申请公布日期 2005.08.01
申请号 TW093136146 申请日期 2004.11.24
申请人 富士通股份有限公司 发明人 石栗雅彦;松木浩久;依田博行;冈本九弘;生云雅光;千叶修一
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本