DISPOSITIF DE MEMOIRE RESISTIVE ET SON PROCEDE DE FABRICATION

摘要

Dispositif de mémoire résistive de matrice à points de connexion comprenant une pluralité de lignes de mot (106) s'étendant selon une direction de rangée, une pluralité de lignes de bit (104) s'étendant selon une direction de colonne de telle façon qu'une pluralité de points de connexion soient formés aux intersections entre les lignes de mot (106) et de bit (104), et au moins un élément de mémoire (102) formé sur au moins un des points de connexion. L'élément de mémoire (102) comprend une première jonction de tunnel possédant un conducteur inférieur, un conducteur supérieur, une couche de barrière (124) disposée entre le conducteur supérieur et le conducteur inférieur et la couche de barrière présente une surface non uniforme.