发明名称 |
Spannungsgesteuerter Quadraturoszillator |
摘要 |
Bei einem spannungsgesteuerten Quadraturoszillator weist ein erster Oszillator einen ersten Resonanzkreis zum Erzeugen einer voreingestellten ersten Resonanzfrequenz und ein erstes Paar kreuzgekoppelter Transistoren zum Liefern von Energie an die erste Resonanzfrequenz auf, um ein erstes und zweites Signal mit einer Phasendifferenz von 180 DEG zu erzeugen. Ein zweiter Oszillator weist einen zweiten Resonanzkreis zum Erzeugen einer voreingestellten zweiten Resonanzfrequenz und ein zweites Paar kreuzgekoppelter Transistoren zum Liefern von Energie an die zweite Resonanzfrequenz auf, um ein drittes und viertes Signal mit einer Phasendifferenz von 180 DEG zu erzeugen. Eine erste Stromquelle ist zwischen einem ersten gemeinsamen Knoten des ersten kreuzgekoppelten Transistorpaars und Masse angeschlossen. Eine zweite Stromquelle ist zwischen einem zweiten gemeinsamen Knoten des zweiten kreuzgekoppelten Transistorpaars und Masse angeschlossen. Eine Differentiallast ist zwischen einem dritten gemeinsamen Knoten der ersten und zweiten Stromquelle und Masse angeschlossen. |
申请公布号 |
DE102006040752(A1) |
申请公布日期 |
2007.04.19 |
申请号 |
DE20061040752 |
申请日期 |
2006.08.31 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO. LTD. |
发明人 |
OH, SEUNG MIN;BAEK, WON JIN |
分类号 |
H03B5/02;H03B5/12 |
主分类号 |
H03B5/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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