METHOD FOR MANUFACTURING TRANSISTOR

摘要

수소를 포함하는 산화물 반도체층 위에 수소 배리어층을 선택적으로 제공하고, 산화 처리를 행함으로써 산화물 반도체층 내의 소정의 영역으로부터 선택적으로 수소를 탈리시켜, 산화물 반도체층에 도전율이 다른 영역을 형성한다. 그 후, 산화물 반도체층에 형성된 도전율이 다른 영역을 사용하여 채널 형성 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 형성할 수 있다.