| 发明名称 | 一种碳化硅双极结型晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明属于高功率半导体技术领域，具体的说涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明主要通过在BJT的发射极1边缘与基极欧姆接触之间的外基区设置第二P+层9，第二P+层9为P型重掺杂层，可通过离子注入工艺形成，因为P性基区4位P型轻掺杂层，第二P+层9与P型基区4之间会形成一个由轻掺杂层指向重掺杂层的电场，该电场会阻止基区少子(电子)向外基区表面扩散，减小了外基区表面的电子浓度，降低了电子与空穴的复合率，减小界面态所导致的复合电流，从而提高器件的电流增益。 | ||
| 申请公布号 | CN105870176A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610353260.6 | 申请日期 | 2016.05.25 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 张有润;郭飞;施金飞;刘影;张波 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人 | 葛启函 |
| 主权项 | 一种碳化硅双极结型晶体管，包括N+衬底(6)、位于N+衬底(6)下表面的集电极(7)、位于N+衬底(6)上表面的N‑集电区(5)和位于N‑集电区(5)上表面的P型基区(4)；所述P型基区(4)的上表面两端分别具有N+发射区(3)和基极(2)，所述N+发射区(3)上表面具有发射极(1)，所述基极(2)的下表面具有第一P+层(8)，所述第一P+层(8)位于基极(2)的正下方；其特征在于，所述N+发射区(3)与基极(2)之间的P型基区(4)上层具有第二P+层(9)。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||