| 发明名称 | 一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法，所述检测方法包括如下步骤：步骤一：采用脉冲激光辐照所述半导体抛光晶片；步骤二：用显微镜观察经过脉冲激光辐照的半导体抛光晶片表面；其中，所述脉冲激光的总辐照能量密度介于第一损伤能量密度阈值和第二损伤能量密度阈值之间。本发明的检测方法速度快、成本低、对晶片损伤小、无污染，可广泛应用于对半导体抛光晶片产品的表面划痕的快速检测。 | ||
| 申请公布号 | CN105870033A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610298401.9 | 申请日期 | 2016.05.06 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 郭丽伟;甘弟;陈小龙 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇;李科 |
| 主权项 | 一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法，所述检测方法包括如下步骤：步骤一：采用脉冲激光辐照所述半导体抛光晶片；步骤二：用显微镜观察经过脉冲激光辐照的半导体抛光晶片表面；其中，所述脉冲激光的总辐照能量密度介于第一损伤能量密度阈值和第二损伤能量密度阈值之间。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||