| 摘要 |
일부 실시예에서, 트랜지스터는 하측 소스/드레인 영역, 제 1 절연 물질, 전도 게이트, 제 2 절연 물질, 및 상측 소스/드레인 영역을 가진 스택을 포함한다. 상기 스택은 수직 측벽을 갖고, 상기 수직 측벽은 상기 하측 소스/드레인 영역을 따라 하측부와, 상기 전도 게이트를 따라 중간부와, 상기 상측 소스/드레인 영역을 따라 상측부를 가진다. 상기 수직 측벽의 중간부를 따라 제 3 절연 물질이 위치한다. 제 3 절연 물질을 따라 채널 영역 물질이 위치한다. 채널 영역 물질은 상기 수직 측벽의 상측부 및 하측부에 맞닿는다. 채널 영역 물질은 3A 보다 크고 10IθA보다 작거나 같은 범위 내의 두께, 및/또는, 모노층 1개 내지 모노층 7개의 두께를 가진다. |
