| 摘要 |
一种制造一结构之方法，包含提供具有一绝缘层之一结构及形成一次微影模板遮罩(sub lithographic template mask)于绝缘层上，绝缘层具有至少一内连线。藉由接近至少一内连线之次微影模板遮罩，使用一选择性蚀刻而蚀刻绝缘层。一上微影块状遮罩(supra lithographic blockingmask)也可能被使用。在另一方面，此方法包含于绝缘层上的罩盖(capping)层中形成次微影尺寸之缩减区域(pinch off section)。一种半导体结构包含绝缘层及形成于绝缘层之至少一管柱，其中，绝缘层具有至少一内连线特征。复数个次微影特征形成于绝缘层顶部上，且与至少一管柱连通。此复数个次微影特征具有一截面或直径小于任一至少一管柱。接近或在切割道及介层洞之上可能禁止形成一缝隙(gap)。 |
