| 主权项 |
1.一种制作高功率发光二极体的方法,包含以下步骤:(A)提供一具有一磊晶体的蓝宝石基板,及一具有一中间膜的第一基板,该第一基板是由一可被一雷射光穿透的材料所制成,且该中间膜是由一可被该雷射光分解的材料所制成;(B)利用一第一贴合膜黏合具有该磊晶体的蓝宝石基板及具有该中间膜的第一基板;(C)将该蓝宝石基板研磨达一小于50m的预定厚度;(D)利用该雷射光照射该第一基板裂解该中间膜的材料,以分离该第一基板及具有该磊晶体的蓝宝石基板;及(E)以一蚀刻移除该第一贴合膜。2.如申请专利范围第1项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该第一基板是由选自于下列所构成之群组的材料所制成:蓝宝石、石英、玻璃、氮化铝、碳化矽及氧化锌。3.如申请专利范围第2项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该第一基板是由蓝宝石所制成。4.如申请专利范围第1项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该中间膜是由选自于下列所构成之群组的氮化物所制成:氮化镓、氮化铟、氮化铟镓、氮化铝镓、氮化铝铟及氮化铝铟镓。5.如申请专利范围第4项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该氮化物是氮化镓。6.如申请专利范围第1项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该第一贴合膜是由至少一选自于下列所构成之群组的材料所制成:旋涂式玻璃、金、锡、铂、银、铝、铟、铅及含有金的合金。7.如申请专利范围第6项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该第一贴合膜是由旋涂式玻璃所制成。8.如申请专利范围第1项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该雷射光的波长是介于190nm至550nm。9.如申请专利范围第8项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该雷射光的波长是355nm。10.如申请专利范围第1项之制作高功率发光二极体的方法,于该步骤(C)后更依序包含一步骤(C')及一步骤(C"),该蓝宝石基板具有一连接该磊晶体的磊晶面及一相反于该磊晶面的背光面,该步骤(C')是于背光面上形成一反射膜,该步骤(C")是利用一第二贴合膜黏合一供散热用的第二基板及该具有反射膜的蓝宝石基板。11.如申请专利范围第10项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该反射膜是由至少一选自于下列所构成之群组的金属材料所制成:银、金、铝、钛、铂、铟、钯及此等之一组合。12.如申请专利范围第11项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该金属材料是银及钛,该反射膜由该背光面向远离该背光面的方向依序具有一第一金属层及一第二金属层,该第一及第二金属层是分别由钛及银所制成。13.如申请专利范围第10项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该反射膜是具有至少一介电体,该介电体具有一高介电材料层及一低介电材料层。14.如申请专利范围第13项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该高介电材料层是二氧化钛,该低介电材料层是二氧化矽。15.如申请专利范围第10项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该第二基板是由选自于下列所构成之群组的材料所制成:矽、铜、含铜之合金、钨钼合金、矽化钼及矽化钨。16.如申请专利范围第15项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该第二基板是由矽所制成。17.如申请专利范围第10项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该第二贴合膜是由至少一选自于下列所构成之群组的金属材料所制成:旋涂式玻璃、金、锡、铝、铂、铟、银、铍及含金之合金。18.如申请专利范围第17项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该第二贴合膜是由旋涂式玻璃所制成。19.如申请专利范围第1项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该磊晶体自该蓝宝石基板向远离该蓝宝石基板的方向依序具有一第一型半导体层、一覆盖该第一型半导体层的发光层及一覆盖该发光层的第二型半导体层。20.如申请专利范围第19项之制作高功率发光二极体的方法,其中,该第一型半导体层是一N型半导体层,该第二型半导体层是一P型半导体层,该磊晶体是由一具有至少一ⅢB族元素的氮化物所制成。21.如申请专利范围第20项之制作高功率发光二极体的方法,于该步骤(E)后更包含一步骤(E'),利用一微影蚀刻制程分别于该N型半导体层及该P型半导体层上形成一第一接触电极及一第二接触电极以完成该步骤(E')。22.一种高功率发光二极体,包含:一蓝宝石基板,具有一磊晶面及一相反于该磊晶面的背光面,该蓝宝石基板的一预定厚度是小于50m;及一形成在该蓝宝石基板之磊晶面上的磊晶体。23.如申请专利范围第22项之高功率发光二极体,其中,该磊晶体自该蓝宝石基板向远离该蓝宝石基板的方向依序具有一第一型半导体层、一局部覆盖该第一型半导体层的发光层及一覆盖该发光层的第二型半导体层。24.如申请专利范围第23项之高功率发光二极体,其中,该第一型半导体层是一N型半导体层,该第二型半导体层是一P型半导体层,该磊晶体是由一具有至少一ⅢB族元素的氮化物所制成。25.如申请专利范围第24项之高功率发光二极体,其中,该磊晶体更具有一形成在该N型半导体层上的第一接触电极,及一形成在该P型半导体层上的第二接触电极。26.如申请专利范围第22项之高功率发光二极体,更包含一形成在该蓝宝石基板之背光面的反射膜。27.如申请专利范围第26项之高功率发光二极体,其中,该反射膜是由至少一选自于下列所构成之群组的金属材料所制成:银、金、铝、钛、铂、铟、钯及此等之一组合。28.如申请专利范围第27项之高功率发光二极体,其中,该金属材料是银及钛,该反射膜由该背光面向远离该背光面的方向依序具有一第一金属层及一第二金属层,该第一及第二金属层是分别由钛及银所制成。29.如申请专利范围第26项之高功率发光二极体,其中,该反射膜是具有至少一介电体,该介电体具有一高介电材料层及一低介电材料层。30.如申请专利范围第29项之高功率发光二极体,其中,该高介电材料层是二氧化钛,该低介电材料层是二氧化矽。31.如申请专利范围第26项之高功率发光二极体,更包含有一连接于该反射膜的贴合膜及一连接于该贴合膜的散热用基板。32.如申请专利范围第31项之高功率发光二极体,其中,该贴合膜是由至少一选自于下列所构成之群组的金属材料所制成:旋涂式玻璃、金、锡、铝、铂、铟、银、铍及含金之合金。33.如申请专利范围第32项之高功率发光二极体,其中,该贴合膜是由旋涂式玻璃所制成。34.如申请专利范围第31项之高功率发光二极体,其中,该散热基板是由选自于下列所构成之群组的材料所制成:矽、铜、含铜之合金、钨钼合金、矽化钼及矽化钨。35.如申请专利范围第34项之高功率发光二极体,其中,该散热基板是由矽所制成。图式简单说明:图1是一正视示意图,说明一种习知发光二极体之细部结构;图2是一流程图,说明本发明制作高功率发光二极体的方法;图3是一正视示意图,说明本发明高功率发光二极体之一具体实施例一;图4是该图3之局部放大剖面示意图,说明该具体实施例一中的一Ti/Ag金属反射膜的细部结构;图5是一正视示意图,说明本发明高功率发光二极体之一具体实施例二;图6是该图5之局部放大剖面示意图,说明该具体实施例二中的一介电反射膜的细部结构;及图7是一电流/输出功率图,比较本发明高功率发光二极体及该习知发光二极体的输出功率,其中,菱形空心标示代表本发明之高功率发光二极体,正方形空心标示代表该习知之发光二极体。 |
