等离子体增强式化学气相沉积处理方法

摘要

一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法，用于在半导体晶片表面上沉积薄膜，包括：稳定化步骤，即向反应炉中通入前驱气体；沉积步骤，即向反应炉中输入射频能，继续通入前驱气体，同时通入反应气体；钝化步骤，即停止通入反应气体，但继续输入射频能；以及抽气步骤，即关闭射频能，停止通入前驱气体，用抽气泵抽出反应炉中的剩余气体；其中，在上述钝化步骤中：射频能与所述沉积步骤的射频能相同或更低；钝化步骤中继续通入前驱气体并持续3－15秒钟；由于本发明增加了钝化步骤，使得晶片薄膜表面上未反应完全的Si键继续反应直至结束，因此能够消除不完全表面反应和悬挂键，从而避免了上覆薄膜中凸块的形成，进而能够消除由此引起的缺陷，提高了产品的合格率。

主权项

1.一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法，用于在半导体晶片表面上沉积薄膜，其特征是：包括如下步骤：稳定化步骤，即向反应炉中通入前驱气体；沉积步骤，即向反应炉中输入射频能，继续通入前驱气体，同时通入反应气体；钝化步骤，即停止通入反应气体，但继续输入射频能；以及抽气步骤，即关闭射频能，停止通入前驱气体，用抽气泵抽出反应炉中的剩余气体。