| 发明名称 | 多级集成光子器件 | ||
| 摘要 | 激光器和电吸收调制器(EAM)通过蚀刻刻面过程被整体集成。晶片上的外延层包括用于激光器结构的第一层和用于EAM结构的第二层。激光器和EAM之间的强光耦合使用两个45度旋转反射镜实现，以便使光从激光器波导垂直路由到EAM波导。使用定向有角度的蚀刻过程来形成两个有角度的刻面。 | ||
| 申请公布号 | CN101002369A | 申请公布日期 | 2007.07.18 |
| 申请号 | CN200580005245.2 | 申请日期 | 2005.04.14 |
| 申请人 | 宾奥普迪克斯股份有限公司 | 发明人 | A·A·贝法;M·R·格林;A·T·谢里默尔 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种集成光子器件，包括：基片；所述基片上的至少第一和第二外延层；所述第一外延层中制造的至少第一蚀刻刻面器件；所述第二外延层中制造的至少第二蚀刻刻面器件；其中所述第一和第二器件的蚀刻刻面使所述第一器件和所述第二器件光连接。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||