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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Feldeffekttransistors
摘要
申请公布号 DE69839005(T2) 申请公布日期 2009.01.08
申请号 DE19986039005T 申请日期 1998.10.15
申请人 XEROX CORP. 发明人 MEI, PING;LUJAN, RENE A.;BOYCE, JAMES B.;CHUA, CHRISTOPHER L.;HACK, MICHAEL G.
分类号 H01L21/336;H01L29/786;C30B31/08;G02F1/136;H01L21/223;H01L21/225;H01L21/266;H01L27/146;H01L31/0216 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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